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MICRON DDR4 SDRAM

發(fā)布時間：2022-04-24 17:03:57 瀏覽：1038

MICRON DDR4 SDRAM是高速動態(tài)隨機存取儲存器，內部配備有x16配置的8列DRAM和X4和X8配置的16列DRAM。MICRON DDR4 SDRAM選用8N預取構造，實現高速運行。8N預取構造與接口相結合，設計適用于在I/O引腳上每時鐘周期傳輸兩個數據項。MICRON DDR4 SDRAM的單次讀寫操作包括在內部DRAM內核上進行一次8N位寬的四時鐘數據傳輸，及其在I/O引腳上進行兩次相應的n位寬的半時鐘周期數據傳輸。MICRON DDR4 SDRAM是DRAM的下一次開發(fā)，它提供了更高的性能和更強大的控制作用，同時提高了企業(yè)、微型服務器、筆記本電腦和超薄客戶端應用程序的能源經濟性。

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Product	Clock Rate (CK)		Data Rate		Density	Prefetch (Burst Length)	Number of Banks
	Max	Min	Min	Max
SDRAM	10ns	5ns	100 Mb/s	200 Mb/s	64–512Mb	1n	4
DDR	10ns	5ns	200 Mb/s	400 Mb/s	256Mb–1Gb	2n	4
DDR2	5ns	2.5ns	400 Mb/s	800 Mb/s	512Mb–2Gb	4n	4，8
DDR3	2.5ns	1.25ns	800 Mb/s	1600 Mb/s	1–8Gb	8n	8
DDR4	1.25ns	0.625ns	1600 Mb/s	3200 Mb/s	4–16Gb	8n	8，16

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