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Solitron Devices SD11740超低導通電阻碳化硅MOSFET

發(fā)布時間：2024-02-05 12:06:18 瀏覽：724

　　Solitron Devices 推出的SD11740是1200V 碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。

Solitron Devices SD11740超低導通電阻碳化硅MOSFET

　　作為對高可靠性/軍事應用的高壓MOSFET的強大供應的補充，Solitron正在擴大其碳化硅產(chǎn)品供應，以滿足要求苛刻的商業(yè)和工業(yè)應用。該SD11740采用 SOT-227 封裝，提供 8.6mΩ 的超低 RDS(on)。

　　SOT-227 型封裝的加入使 Solitron 的 SiC 產(chǎn)品能夠在電動汽車、功率控制器、電機驅動、感應加熱、固態(tài)斷路器和高壓電源中實現(xiàn)更高功率的應用。該SD11740提供 120A 的連續(xù)漏極電流。SOT-227 與銅散熱器基座具有 3kV 隔離功能，可實現(xiàn)出色的低熱阻。該器件提供真正的開爾文柵極連接，以實現(xiàn)最佳柵極控制。任一發(fā)射極端子均可用作主發(fā)射器或開爾文發(fā)射器。

　　該SD11740設計用作功率半導體開關，其性能優(yōu)于硅基MOSFET和IGBT。標準柵極驅動特性允許真正直接替代硅IGBTS和MOSFET，具有更優(yōu)越的性能。超低柵極電荷和出色的反向恢復特性使它們非常適合開關感性負載和任何需要標準柵極驅動的應用。

　　關鍵特性

　　I D = 100A

　　RDS(ON) = 8.6mΩ

　　低柵極電荷

　　開爾文源

　　SOT 227B

　　好處

　　無熱失控的并聯(lián)裝置

　　更高的系統(tǒng)效率

　　出色的反向采收率

　　應用