Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:49
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應(yīng)用。
主要參數(shù)
漏源電壓(VDS):1200V
連續(xù)漏極電流(ID):25°C時(shí)為17A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):25°C時(shí)為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):34ns
反向恢復(fù)電荷(Qrr):197nC
應(yīng)用領(lǐng)域
開關(guān)電源
DC-DC轉(zhuǎn)換器
PFC電路
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
機(jī)器人控制
更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
TCH系列是一款堅(jiān)固、堅(jiān)固和可靠的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)。TCH系列溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)可確保在極端條件下的苛刻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)精確的頻率和非常高的穩(wěn)定性。
PDI O08系列時(shí)鐘振蕩器,尺寸13x13x5.6毫米,DIP8封裝,頻率0.03至200 MHz,支持TTL/CMOS等多種輸出,頻率穩(wěn)定性±25至100 ppm,工作溫度0至+125°C,供電電壓1.8至5.0V,適用于原型及大規(guī)模生產(chǎn)。
在線留言
青岛市| 茶陵县| 乌鲁木齐县| 攀枝花市| 茂名市| 阜新市| 岳普湖县| 浙江省| 资中县| 大同县| 峡江县| 天峨县| 大竹县| 华阴市| 泸水县| 独山县| 富宁县| 马尔康县| 治多县| 会理县| 惠东县| 金坛市| 孝义市| 佛坪县| 揭西县| 徐汇区| 陕西省| 宁南县| 长乐市| 伊宁县| 新田县| 天祝| 泽库县| 峡江县| 沾益县| 秀山| 云梦县| 盐津县| 张家口市| 调兵山市| 漳浦县|