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Wi2Wi DL4系列石英晶體時(shí)鐘振蕩器

2024-02-12 16:14:28

DL 系列振蕩器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)和制造，可在最極端的環(huán)境條件和溫度下超越行業(yè)對(duì)可靠性和穩(wěn)定性的要求。DL4 系列經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的可靠性和環(huán)境測(cè)試，以滿(mǎn)足并超過(guò)符合 MIL-STD-202 方法 214 隨機(jī)振動(dòng)的所有測(cè)試條件。

MTI-milliren402系列TCXO溫補(bǔ)晶振

2024-02-10 15:57:41

MTI-milliren402系列TCXO溫補(bǔ)晶振

OCXO晶體振蕩器成本的8個(gè)主要驅(qū)動(dòng)因素

2024-02-09 15:02:58

在購(gòu)買(mǎi)晶體振蕩器之前，我們需要一個(gè)重要的事項(xiàng)就是成本。振蕩器定價(jià)很大程度上取決于具體需求和應(yīng)用，影響OCXO和其他晶體振蕩器成本的主要因素主要有下面8個(gè)：重力靈敏度、相位噪聲、工作溫度、穩(wěn)定性 (FvT)、艾倫偏差 (ADEV)、輸入電壓、頻率、包裝尺寸。

DATEL FT系列濾波器模塊

2024-02-08 11:30:37

DATEL的FT系列濾波器模塊可顯著降低注入電源的共模和差分輻射。這些過(guò)濾器采用標(biāo)準(zhǔn)的 2.00 x 1.00 x 0.46 和 2.00 x 1.60 x 0.50 英寸封裝。FT10-100 濾波器的額定輸出電流為 10 A，而 FT20-100 的額定輸出電流為 20 A

Wi2Wi JL6系列石英晶體時(shí)鐘振蕩器

2024-02-08 11:19:45

Wi2Wi JL6系列晶體時(shí)鐘振蕩器系列使客戶(hù)能夠定制他們所需的頻率，并在很短的交貨時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。JL6系列超越了航空電子、航天、醫(yī)療、國(guó)防和油氣勘探市場(chǎng)嚴(yán)格的下一代技術(shù)要求。

HI-2579低功耗CMOS雙收發(fā)器HOLTIC

2024-02-07 10:14:10

HOLTIC HI-2579是一款低功耗的CMOS雙收發(fā)器，集成了變壓器，并且符合MIL-STD-1553 / MIL-STD-1760規(guī)范。它的設(shè)計(jì)旨在將協(xié)議IC或FPGA連接到具有雙冗余MIL-STD-1553總線的系統(tǒng)中

Broadcom PEX88000交換機(jī)

2024-02-06 13:04:43

PEX88000 PCIe Gen 4.0 系列以Broadcom 系列 PCIe Gen 3.0 PEX9700 和 PEX8700 系列交換機(jī)為基礎(chǔ)。這些交換機(jī)可以顯著提高性能和可用性。Broadcom PEX88000交換機(jī)允許客戶(hù)構(gòu)建從簡(jiǎn)單的機(jī)箱內(nèi)PCIe連接到高性能、低延遲、可擴(kuò)展、具有成本效益的PCIe結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，用于可組合的超大規(guī)模計(jì)算系統(tǒng)。

Wi2Wi VO5系列LCVCO電感電容壓控振蕩器

2024-02-06 12:54:10

Wi2Wi VO5 系列振蕩器是電感電容壓控振蕩器系列 (LC VCO)，專(zhuān)為需要中心頻率的精密電壓變頻調(diào)諧應(yīng)用而設(shè)計(jì)。VO5 系列在相位噪聲、諧波和線性度方面具有業(yè)界最佳性能，使該系列成為眾多低噪聲 PLL 應(yīng)用的絕佳選擇。VO5 系列可根據(jù)每個(gè)客戶(hù)的獨(dú)特要求進(jìn)行定制。

MTI-milliren401系列TCXO溫補(bǔ)晶振

2024-02-05 12:13:25

Solitron Devices SD11740超低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET

2024-02-05 12:06:18

Solitron Devices 推出的SD11740是1200V 碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。

Renesas瑞薩RH850系列汽車(chē)MCU微控制器

2024-02-02 09:34:10

Renesas瑞薩RH850系列汽車(chē)MCU是專(zhuān)為汽車(chē)電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的高性能微控制器，具有強(qiáng)大的處理能力、豐富的外設(shè)接口和高級(jí)安全功能，適用于各種汽車(chē)應(yīng)用

IR2113PBF 600V高低邊驅(qū)動(dòng)器IC

2024-02-02 09:14:47

IR2110/IR2113是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器。它們具有獨(dú)立的高低側(cè)參考輸出通道，采用專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，因此具有非常堅(jiān)固的單片結(jié)構(gòu)。

Vishay TSMP97000紅外接收器模塊

2024-02-01 13:54:24

Vishay TSMP97000/TSMP95000/TSMP98000/TSMP96000是一種小型傳感器，用于接收紅外遙控系統(tǒng)的調(diào)制信號(hào)。TSMP97000具有高靈敏度和快速的響應(yīng)速度，能夠接收和解碼來(lái)自紅外遙控器等設(shè)備發(fā)送的紅外信號(hào)。它采用了PIN photodiode和低噪聲貼片放大器的組合，能夠在廣泛的頻率范圍內(nèi)接收多種紅外協(xié)議的信號(hào)。

Vishay STHD128M075ESHS軍用H級(jí)濕式鉭電容器

2024-02-01 10:30:56

Vishay STH系列是一種軍用H級(jí)濕式鉭電容器，廣泛應(yīng)用于軍事、航空航天和國(guó)防領(lǐng)域。這些電容器具有高可靠性和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)，能夠在苛刻的環(huán)境條件下工作。

HI-1579/HI-1581單芯片雙3.3V收發(fā)器

2024-02-01 08:48:29

Holt HI-1579和HI-1581是兩種低功耗CMOS雙收發(fā)器，設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿(mǎn)足MIL-STD-1553和MIL-STD-1760規(guī)范的要求。HI-1579 / HI-1581采用成熟的設(shè)計(jì)技術(shù)和先進(jìn)的模擬CMOS技術(shù)，僅在100%占空比下傳輸時(shí)功耗為500mW，并能夠?yàn)榭偩€提供所需的功率。

Princeton Microwave低噪聲放大器PMTA-0112-30-4

2024-01-31 11:09:38

Princeton Microwave普林斯頓微波技術(shù)級(jí)聯(lián)放大器分別采用 TO-8 封裝、TC-1 連接器外殼和表面貼裝 PlanerPak 封裝。這些放大器具有 PmT R 系列屏蔽功能，是可級(jí)聯(lián)模塊，旨在在惡劣的工作條件下實(shí)現(xiàn)最佳性能。它們?cè)谥付ǖ念l率響應(yīng)范圍和極端溫度下提供無(wú)條件的穩(wěn)定性和有保證的性能。電壓要求從 +5 VDC 到 +24 VDC 不等，具體取決于型號(hào)。

Renesas瑞薩RX72N系列32位微控制器

2024-01-31 09:11:38

Renesas瑞薩?RX72N系列微控制器搭載第三代RX CPU內(nèi)核RXv3內(nèi)核，工作頻率為240MHz，具有高性能和實(shí)時(shí)控制能力。它采用單芯片設(shè)計(jì)，具有4MB閃存和1MB SRAM，以及182個(gè)通用I/O端口，可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的聯(lián)網(wǎng)和實(shí)時(shí)控制。該芯片在120MHz的頻率下可以進(jìn)行讀取操作。

MTI-milliren270系列OCXO恒溫晶振

2024-01-31 08:40:36

MTI-milliren270 系列是一款超高穩(wěn)定性、高可靠性的雙烤箱控制晶體振蕩器 (OCXO)。該系列振蕩器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 Euro CO-08 封裝設(shè)計(jì)，是 230 系列 OCXO 產(chǎn)品線的直接替代品。這樣就可以升級(jí)系統(tǒng)性能，以滿(mǎn)足新的苛刻要求，而無(wú)需重新設(shè)計(jì)。

HOLT HI-25850 MIL-STD-1553/1760 3.3V雙收發(fā)器

2024-01-30 09:58:06

HOLT HI-25850 3.3V工作電壓。MIL-STD-1553 / MIL-STD-1760 雙收發(fā)器，集成雙變壓器。低調(diào)設(shè)計(jì)。兼容1.8V、2.5V和3.3V的數(shù)字I/O，總線尾部補(bǔ)償。

Statek CXOXLPNR超高沖擊低相位噪聲振蕩器

2024-01-30 09:27:41

CXOXLPNR是一款極其耐沖擊和低相位噪聲的振蕩器，具有30 kRad的輻射承受能力。它被封裝在一個(gè)密封的陶瓷3.2 x 2.5 mm封裝內(nèi)，并且可以在-55°C至+125°C的范圍內(nèi)工作。這款振蕩器提供了低電壓CMOS輸出，具有低相位噪聲、低抖動(dòng)和低加速度靈敏度。