TPSM63610E降壓模塊(集成電感器)TI 德州儀器
發(fā)布時(shí)間:2023-07-13 16:58:16 瀏覽:580
TI德州儀器TPSM63610E起源于同步降壓模塊系列,是款高寬比集成化36V、8A直流電/直流電解決方案,集成化數(shù)個(gè)功率MOSFET、一個(gè)屏蔽式電感和數(shù)個(gè)無(wú)源元件,同時(shí)通過(guò)增強(qiáng)型HotRod?QFN封裝形式。TPSM63610E的VIN和VOUT管腳設(shè)在封裝形式的邊角處,可調(diào)優(yōu)輸入輸出電容器的設(shè)置。TPSM63610E下面具備四個(gè)較大的導(dǎo)熱焊層,能夠在生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易規(guī)劃和輕松處置。
TPSM63610E具備1V到20V的輸出電壓,致力于迅速、輕松搞定超小型PCB的低EMI設(shè)計(jì)方案??傮w解決方案只需四個(gè)外部元器件,而且節(jié)省了開發(fā)流程中的磁性和補(bǔ)償元器件選擇過(guò)程。
盡管對(duì)于空間有限型應(yīng)用使用了簡(jiǎn)單的超小型設(shè)計(jì)方案,TPSM63610E模塊還提供許多性能來(lái)完成穩(wěn)定的性能:具備遲緩性能的高精密使能端能夠?qū)崿F(xiàn)輸入電壓UVLO調(diào)整、電阻可編程開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率和展頻選項(xiàng)可改善EMI。TPSM63610E與集成化VCC、自舉和輸入電容器同時(shí)使用,能提高安全性和相對(duì)密度。TPSM63610E可設(shè)置為在滿負(fù)荷電流范圍(FPWM)內(nèi)維持穩(wěn)定開關(guān)頻率,也可以配備為可變性頻率(PFM)以增強(qiáng)輕負(fù)載效率。包含PGOOD檢測(cè)器,能夠?qū)崿F(xiàn)時(shí)序控制、故障報(bào)告和輸出電壓檢測(cè)性能。
特征
?提供可靠性設(shè)計(jì)
–可提供用作性能防護(hù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文件
?多用途36VIN、8AOUT同步降壓模塊
–集成化MOSFET、電感器和控制器
–可調(diào)式輸出電壓范圍包括1V至20V
–6.5mm×7.5mm×4mm超注塑塑料封裝
–具備–55°C至125°C的結(jié)溫范圍
–能夠在200kHz至2.2MHz范圍內(nèi)調(diào)節(jié)頻率
–負(fù)輸出電壓應(yīng)用性能
?在整體負(fù)載范圍之內(nèi)具備極高效率
–95%+最高值效率
–具備用作提高效率的外部限幅選項(xiàng)
–外露焊盤可以實(shí)現(xiàn)低熱阻抗。EVMθJA=18.2°C/W。
–關(guān)斷時(shí)的靜態(tài)電流為0.6μA(典型值)
?極低的傳輸和輻射EMI信號(hào)
–具備雙輸入模式和集成化電容器的低噪音封裝能降低開關(guān)振鈴
–電阻器可調(diào)式開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率
–滿足CISPR11和32B類釋放需求
?適用于可擴(kuò)展性電源
–與TPSM63608(36V、6A)管腳兼容
?具有保護(hù)特性,可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健設(shè)計(jì)
–高精密使能輸入和漏級(jí)引路PGOOD檢測(cè)器(用作時(shí)序、控制和VINUVLO)
–過(guò)電流和熱關(guān)斷保護(hù)
?應(yīng)用TPSM63610E并通過(guò)WEBENCH?Power Designer創(chuàng)建定制設(shè)計(jì)方案
應(yīng)用
?測(cè)試和測(cè)量及其航空航天和國(guó)防
?智能化工廠與控制
?降壓和反相降壓/升壓電源
TI 德州儀器為美國(guó)知名集成電路設(shè)計(jì)與制造商,TI 德州儀器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于商用、軍工以及航空航天領(lǐng)域。
幾十年來(lái),德州儀器一直熱衷于通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)降低電子產(chǎn)品的成本,讓世界變得更美好。TI 是第一個(gè)完成從真空管到晶體管再到集成電路(IC)的轉(zhuǎn)變,在過(guò)去的幾十年里,TI 促進(jìn)了IC技術(shù)的發(fā)展,提高了大規(guī)模、可靠地生產(chǎn)IC的能力。每一代創(chuàng)新都是在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,使技術(shù)更小、更高效、更可靠、更實(shí)惠——從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,專注于TI 德州儀器品牌高端可出口產(chǎn)品系列新品產(chǎn)品,并備有現(xiàn)貨庫(kù)存,可當(dāng)天發(fā)貨。
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越來(lái)越多的應(yīng)用需要使用高溫晶體,比如工業(yè)、井下儀器、轉(zhuǎn)軸傳感器、地下鉆孔工具等。對(duì)于這些應(yīng)用,Statek提供CX1VHT/CX1HHT, CX4VHT和CX9VHT晶體。這些晶體被設(shè)計(jì)在高達(dá)200攝氏度的溫度下工作,在這些溫度下的預(yù)期壽命超過(guò)1000小時(shí)。CX1VHT和CX1HHT晶體提供的頻率范圍為10 kHz至600 kHz, CX4VHT晶體提供30 kHz至250 kHz, CX9VHT晶體提供32 kHz至160 kHz。
?20世紀(jì)50年代,鍺(GE)最開始是用作分立器件的半導(dǎo)體材料。ic集成電路的出現(xiàn)是半導(dǎo)體工業(yè)化向前邁開的重要一步。1958年7月,德克薩斯州達(dá)拉斯的德州儀器公司杰克·基爾比生產(chǎn)制造了第一個(gè)以鍺半導(dǎo)體材料為襯底的ic集成電路。
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