LS26VPS/VNS新型JFET壓控電阻器Linear Systems
發(fā)布時間:2024-02-17 09:30:41 瀏覽:1560
Linear Systems 擴展了其 JFET 壓控電阻器 (VCR) 系列,用于基于 IC 的器件的低功耗電路。JFET壓控電阻器系列新增的兩款產(chǎn)品包括LS26VNS單N溝道JFET VCR和LS26VPS單P溝道JFET VCR。N 和 P 溝道版本均由相同的芯片幾何形狀制成,因此具有互補性。它們是現(xiàn)有VCR11N雙N通道的補充。將VCR用于壓控放大器或壓控增益系統(tǒng)的優(yōu)點包括:
· 基于 VCR 的設備以較低的電壓和功耗運行,使電池供電系統(tǒng)的使用壽命顯著延長。
· VCR JFET可與低功耗運算放大器配合使用,為電壓控制增益系統(tǒng)提供低功耗解決方案。
對于 LMV358 或 TLC272 等低壓運算放大器,VCR JFET 用于在極低的電源電壓(如 +/- 2 V、+ 5 V,甚至低至 3.3 V)的單個電源下執(zhí)行電壓控制增益。當JFET VCR包含低電壓、低功耗運算放大器時,電路可以設計為非常低功耗。例如,將LSK389A用作這些低壓電路的VCR。
匹配的JFET VCR(VCR11N或LSK389A)可以提供兩個相同的電壓控制增益通道,其中兩個通道的控制電壓跟蹤。這可用于立體聲音頻信號衰減器。
典型的有源壓控放大器消耗更多的電流,并且需要更高的最小電源電壓,專用電壓控制放大器集成電路至少需要 +/- 4 伏。
包括J177在內(nèi)的P溝道JFET可以設計為具有單個A電源的VCR電路。例如,P溝道JFET VCR電路非常適合正電源電壓,因為它對柵極的控制電壓也是正電壓。
LS26VNS N 溝道單 JFET VCR 具有漏源電阻,該電阻由施加到高阻抗柵極端子的直流偏置電壓 (VGS) 控制。當VGS = -1.0V時,最小RDS為14 Ω。當VGS接近時,-6.0V RDS的夾斷電壓迅速增加到最大值,即RDS = 38 Ω。
LS26VPS P 溝道單 JFET 壓控電阻器具有漏源電阻,該電阻由施加到高阻抗柵極端子的直流偏置電壓 (VGS) 控制。當VGS = 3.0V時,最小RDS為20 Ω。當VGS接近7.5V的夾斷電壓時,RDS迅速增加到最大值或RDS = 50 Ω。
特征描述:
LS26VNS(N 通道單通道)
RDS(on) 14-38歐姆
BVgss 30 伏
TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片
LS26VPS(P 通道單通道)
RDS(on) 20-50歐姆
BVgss 30 伏
TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片
應用:
可變增益控制
壓控振蕩器
信號衰減器
音樂效果應用
自適應模擬濾波器
自動增益控制電路
時鐘發(fā)生器
壓縮機
靜電計
能量收集器
擴展器
助聽器
調(diào)光器
調(diào)制 器
攪拌機
人工神經(jīng)網(wǎng)絡
可編程增益放大器
相控陣
鎖相環(huán)
相控調(diào)光電路
相位延遲和提前電路
可調(diào)諧濾波器
可變衰減器
壓控多諧振蕩器
波形發(fā)生器
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