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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點(diǎn)，A型外殼最少7個(gè)焊點(diǎn)，B型外殼最少15個(gè)焊點(diǎn)，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢包括絕對容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機(jī)械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質(zhì)為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。

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  Renesas瑞薩RX72N系列32位微控制器 2024-01-31 09:11:38

  Renesas瑞薩?RX72N系列微控制器搭載第三代RX CPU內(nèi)核RXv3內(nèi)核，工作頻率為240MHz，具有高性能和實(shí)時(shí)控制能力。它采用單芯片設(shè)計(jì)，具有4MB閃存和1MB SRAM，以及182個(gè)通用I/O端口，可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的聯(lián)網(wǎng)和實(shí)時(shí)控制。該芯片在120MHz的頻率下可以進(jìn)行讀取操作。